Prohlížení dle názvu

Zobrazují se záznamy 37114-37133 z 58000

    • Radiační zátěž při mamografickém screeningovém vyšetření 

      Autor: Drugdová Irena; Vedoucí práce: Honová Žaneta; Oponent práce: Dittel David
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2016-05-12)
      Předmětem bakalářské práce ?Radiační zátěž při screeningovém mamografickém

    • Radiační zátěž u dětských pacientů při léčbě nefroblastomu (Wilmsova nádoru) 

      Autor: Choniawko Petr; Vedoucí práce: Mališ Josef; Oponent práce: Podzimek František
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2016-05-19)
      Práce se zabývá problematikou radiační zátěže při léčbě nefroblastomu. Práce popisuje současný léčebný postup z pohledu radiologického asistenta. Metoda práce je založená na analýze léčebného protokolu, výpočtu současné ...

    • Radial Radon Transform dedicated to Micro-object Localization from Radio Frequency Ultrasound Signal 

      Autor: Barva, Martin; Kybic, Jan; Mari, Jean-Martial; Cachard, Christian
      (IEEE, 2004-08)
      In this paper we describe a method for automatic electrode localization in soft tissue from a radiofrequency signal. The method exploits a property of the Radon transform (RT) that allows us to localize a line-segment in ...

    • RADIATION DAMAGE TO DNA PLASMIDS IN THE PRESENCE OF BOROCAPTATES 

      Autor: Jamborová Z.; Brabcová K.P.; Michaelidesová A.J.; Zahradníček O.; Danilová I.; Ukraintsev E.; Štěpán V.
      (Oxford University Press, 2022)
      Boron derivatives have great potential in cancer diagnostics and treatment. Borocaptates are used in boron neutron capture therapy and potentially in proton boron fusion therapy. This work examines modulation effects of ...

    • Radiation Defects and Carrier Lifetime in 4H-SiC Bipolar Devices 

      Autor: Hazdra P.; Smrkovský P.; Popelka S.
      (WILEY-V C H VERLAG GMBH, 2021)
      The effect of radiation damage on the minority carrier lifetime in the 4 H-SiC epilayers forming the n-base of the power p-i-n diodes is presented. Irradiation with fast neutrons and MeV protons is used for uniform and ...

    • Radiation Defects Created in n‐Type 4H‐SiC by Electron Irradiation in the Energy Range of 1-10 MeV 

      Autor: Hazdra P.; Vobecký J.
      (WILEY-V C H VERLAG GMBH, 2019)
      Radiation damage produced in 4H–SiC n–epilayers by electrons of different energies is presented. Junction Barrier Schottky power SiC diodes were irradiated with 1.05, 2.1, 5 and 10 MeV electrons with doses up to 600 kGy. ...

    • RADIATION DEGRADATION OF PCBS IN SEDIMENTS: COMPARISON OF TWO METHODS 

      Autor: Darážová, Ľubica; Šagátová, Andrea; Nečas, Vladimír; Fülöp, Marko; Han, Bumsoo
      (České vysoké učení technické v PrazeCzech Technical University in Prague, 2016)
      Polychlorinated biphenyls are toxic compounds which have accumulated in river sediments in Eastern Slovakia. Bioaccumulation could cause even cancer. Radiation degradation with electrons is new and perspective method to ...

    • Radiation Effects on 1.7kV Class 4H-SiC Power Devices: Development of Compact Simulation Models 

      Autor: Hazdra P.; Popelka S.
      (Trans Tech Publications, 2019)
      Compact simulation models of two key silicon carbide power components, the Junction Barrier Schottky diode and the power MOSFET, which are taking into account the effect of irradiation by high-energy electrons are presented.

    • Radiation Resistance of High-Voltage Silicon and 4H-SiC Power p-i-n Diodes 

      Autor: Hazdra P.; Smrkovský P.; Vobecký J.; Mihaila A.
      (IEEE, 2021)
      The different effect of displacement damage produced by neutron irradiation on the static characteristics of 4.5-kV silicon and 4H silicon carbide (SiC) p-i-n power diodes is explained using deep level transient spectroscopy ...

    • Radiation resistance of wide-bandgap semiconductor power transistiors 

      Autor: Hazdra P.; Popelka S.
      (WILEY-V C H VERLAG GMBH, 2017)
      The paper compares radiation resistance of SiC MOSFET and GaN HEMT to electron radiation.

    • Radiation Tolerant 8 - bit Analog to Digital Converter with Successive Approximation 

      Autor: Vančura P.
      (ČVUT FEL, Středisko vědecko-technických informací, 2019)
      This paper brings implementation of radiation tolerant 8-bit asynchronous analog to digital converter with successive approximation (SAR ADC) in 180 nm CMOS SoI technology.

    • Radiative heating and cooling with use of integrated capillary tube mats 

      Autor: Slabá Jana; Vedoucí práce: Kabele Karel
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum., 2012-01-31)

    • Radiativní asociace atomů 

      Autor: Augustovičová Lucie; Vedoucí práce: Soldán Pavel; Oponent práce: Fišer Jiří
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum., 2011-10-14)

    • Radikalizace a extremismus obyvatelstva jako aktuální bezpečnostní hrozba pro vnitřní bezpečnost státu 

      Autor: Václav Lazarov; Vedoucí práce: Adámek Václav; Oponent práce: Vegrichtová Barbora
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2020-06-18)
      Problematika radikalizace a extremismu občanů České republiky se v současné době stává velmi aktuálním tématem. Důvodem je zejména vzrůstající napětí mezi většinovou a minoritní společností v Evropě. Teoretická část je ...

    • Radikalizace a terorismus v současné Francii 

      Autor: Lívia Březinová; Vedoucí práce: Vegrichtová Barbora; Oponent práce: Eichler Jan
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2022-06-16)
      Předmětem diplomové práce je problematika terorismu a s ním související náboženská radikalizace ve Francii, kdy předmětný proces přesahuje samotné území země a daná hrozba je již dlouhodobě nedílnou součástí francouzské ...

    • Radio over 50 km Fiber and Joint 80 m FSO/Wireless Links Using Photonic Frequency Doubling for 5G 

      Autor: Bohata J.; Spáčil J.; Nguyen Dong N.; Zvánovec S.; Vallejo L.; Ortega B.
      (American Institute of Physics and Magnetic Society of the IEEE, 2019)
      We present the experimental demonstration of photonic doubling to achieve 25 GHz millimeter wave signal generation, following the 5th generation network frequency band recommendations. A hybrid optical network combining ...

    • Radio Resource Management for Relaying in Future Mobile Networks 

      Autor: Mach, Pavel
      (ČVUT. Fakulta elektrotechnická., 2024)

    • Radio-frequency electric field generated by vibration modes of a microtubule 

      Autor: Havelka, Daniel; Vedoucí práce: Vrba, Jan; Cifra, Michal
      (2014-09-19)

    • RADIOACTIVE UHECR ASTRONOMY: CORRELATING GAMMA ANISOTROPY AND NEUTRINO PEV EVENTS 

      Autor: Fargion, Daniele
      (České vysoké učení technické v PrazeCzech Technical University in Prague, 2013)
      UHECR (Ultra High Energy Cosmic Rays) were expected to be protons, to fly straight and to suffer of a GZK (opacity on CMB radiation) cut off. AUGER did suggest on 2007 that such early UHECR anisotropy was compatible with ...

    • Radiofarmaka pro diagnostiku v nukleární medicíně 

      Autor: Vít Lajner; Vedoucí práce: Rosina Jozef; Oponent práce: Freitinger Skalická Zuzana
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2020-06-23)
      Bakalářská práce na téma Radiofarmaka pro diagnostiku v nukleární medicíně je rozdělena na dvě hlavní části. V první části jsem zpracoval teoretické informace o nukleární medicíně, radiofarmakách, radiační ochraně. V ...