Inteligentní budič IGBT/FET tranzistorů pro polovodičové invertory
Intelligent Driver of IGBT/FET Transistors for Semiconductor Inverters
Type of document
bakalářská prácebachelor thesis
Author
Marek Novotný
Supervisor
Hospodka Jiří
Opponent
Janíček Vladimír
Study program
Elektronika a komunikaceInstitutions assigning rank
katedra elektromagnetického poleRights
A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmlVysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html
Metadata
Show full item recordAbstract
Tato práce se zabývá návrhem highside budiče výkonnových tranzistorů. Budič disponuje galvanickým oddělením s izolační dovedností >1kV, implementací ochran před nadproudem a desaturací a řeší běžné nedosatky komerčních budičů, jako například vysoká cena a nízká dostupnost. Dále je budič otestován a porovnán s komerčním řešením. This thesis focuses on the design of a high-side power transistor driver. The driver features galvanic insulation with a breakdown capability of >1kV and implements protection against overcurrent and de-saturation. It aims to address common disadvantages found in industrial drivers, such as high cost and low availability. Furthermore the driver is tested and compared to industrial solution.
Collections
- Bakalářské práce - 13117 [141]