Zobrazit minimální záznam

Intelligent Driver of IGBT/FET Transistors for Semiconductor Inverters



dc.contributor.advisorHospodka Jiří
dc.contributor.authorMarek Novotný
dc.date.accessioned2023-06-12T22:51:37Z
dc.date.available2023-06-12T22:51:37Z
dc.date.issued2023-06-12
dc.identifierKOS-1062775227805
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10467/109020
dc.description.abstractTato práce se zabývá návrhem highside budiče výkonnových tranzistorů. Budič disponuje galvanickým oddělením s izolační dovedností >1kV, implementací ochran před nadproudem a desaturací a řeší běžné nedosatky komerčních budičů, jako například vysoká cena a nízká dostupnost. Dále je budič otestován a porovnán s komerčním řešením.cze
dc.description.abstractThis thesis focuses on the design of a high-side power transistor driver. The driver features galvanic insulation with a breakdown capability of >1kV and implements protection against overcurrent and de-saturation. It aims to address common disadvantages found in industrial drivers, such as high cost and low availability. Furthermore the driver is tested and compared to industrial solution.eng
dc.publisherČeské vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.cze
dc.publisherCzech Technical University in Prague. Computing and Information Centre.eng
dc.rightsA university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmleng
dc.rightsVysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmlcze
dc.subjectIGBTcze
dc.subjectFETcze
dc.subjectbudičcze
dc.subjecttranzistorcze
dc.subjecthigh-sidecze
dc.subjectdesaturacecze
dc.subjectIGBTeng
dc.subjectFETeng
dc.subjectdrivereng
dc.subjecttransistoreng
dc.subjecthigh-sideeng
dc.subjectdesaturationeng
dc.titleInteligentní budič IGBT/FET tranzistorů pro polovodičové invertorycze
dc.titleIntelligent Driver of IGBT/FET Transistors for Semiconductor Inverterseng
dc.typebakalářská prácecze
dc.typebachelor thesiseng
dc.contributor.refereeJaníček Vladimír
theses.degree.grantorkatedra elektromagnetického polecze
theses.degree.programmeElektronika a komunikacecze


Soubory tohoto záznamu














Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích

Zobrazit minimální záznam