Modifikace povrchu křemíku kovalentním navázáním organických molekul pomocí Grignardovy reakce

Abstract

Tato práce se zabývá modifikací povrchu křemíku kovalentním navázáním organických molekul. Teoretická část se zabývá popisem obecných a polovodičových vlastností křemíku, rozdílů povrchů Si(100) a Si(111) a výroby křemíkového waferu, jenž je výchozím materiálem pro úpravy. Dále je pozornost věnována především chemickým reakcím umožňujícím navázání organických molekul na povrch křemíku, jejich mechanismu a podmínkám průběhu reakce. Experimentální část je zaměřena na přípravu alkylových vrstev ve třech krocích zahrnujících leptání, chloraci a následně Grignardovu reakci. Vzorky byly analyzovány pomocí FT-IR.

This thesis deals with surface modification of silicon by the covalent attachment of organic molecules. The theoretical part deals with description of general and semiconductor properties of silicon, differences between Si(100) and Si(111) surfaces and the production of silicon wafer, which is the starting material for treatments. Attention is given to chemical reactions enabling attachment of organic molecules on silicon surface, their mechanism and reaction conditions. The experimental part focuses on preparation of alkyl layers in three steps involving etching, chlorination and subsequently Grignard reaction. Samples were analysed by FT-IR.