Charakterizace vlastností polovodičových detektorů

Abstract

Tato bakalářská práce se věnuje radiačnímu poškození v křemíkových polovodičových detektorech, které jsou složeny ze senzoru a vyčítacího čipu. V praktické části byly proměřeny charakteristiky testovacích struktur vyčítacího čipu. Práce zahrnuje základní informace o interakcích částic, křemíkových detektorech a jejich vlastnostech a o principech radiačního poškození polovodičů.

This thesis focuses on the radiation damage of semiconductor detectors, which consist of a sensor and a readout chip. In the practical part of this thesis, the characteristics of the readout chip test structures have been measured. This work summarizes the fundamental information about particle intractions, silicon detectors and their properties, and about the principles of radiation damage on semicondustors.