• Aplikace MOSFET tranzistorů na bázi SiC v průmyslových napájecích zdrojích 

      Autor: David Kudelásek; Vedoucí práce: Janíček Vladimír; Oponent práce: Smutka Jiří
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2020-01-30)
      Záměr této diplomové práce je analýza, simulace, porovnání a diskuze aplikace tranzistorů MOSFET na bázi karbidu křemíku v průmyslových zdrojích. Pozornost je věnována řízení SiC MOSFETů standartními kontroléry. Celá ...