Aplikace MOSFET tranzistorů na bázi SiC v průmyslových napájecích zdrojích

David Kudelásek

Application of SiC MOSFETs in Industrial Power Supplies

Type of document

diplomová práce
master thesis

Author

David Kudelásek

Supervisor

Janíček Vladimír

Opponent

Smutka Jiří

Field of study

Elektronika

Study program

Elektronika a komunikace

Institutions assigning rank

katedra mikroelektroniky

Rights

A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html
Vysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html

Metadata

Show full item record

Abstract

Záměr této diplomové práce je analýza, simulace, porovnání a diskuze aplikace tranzistorů MOSFET na bázi karbidu křemíku v průmyslových zdrojích. Pozornost je věnována řízení SiC MOSFETů standartními kontroléry. Celá problematika je popsána na 24V 100W měniči typu Flyback, stejně tak jako porovnání se standartním křemíkovým MOSFETem.

Key of this master’s thesis is to analyze, simulate, compare and discuss the application of Silicon-Carbide MOSFET in industrial power supplies. With consideration to driving SiC MOSFET with usual PWM controllers. The whole problem is demonstrated on 24V 100W Flyback converter, same as a comparison with standard silicon-based MOSFET.