Show simple item record

Characterization of the Thin Oxide Layers



dc.contributor.advisorVoves Jan
dc.contributor.authorPatrik Hlavatý
dc.date.accessioned2023-06-22T22:53:47Z
dc.date.available2023-06-22T22:53:47Z
dc.date.issued2023-06-22
dc.identifierKOS-1240440655305
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10467/110030
dc.description.abstractCílem práce je předložit teoretické poznatky o růstu a charakterizaci tenkých vrstev, zejména oxidů kovů a polokovů, včetně jejich aplikací v elektronice. Součástí teoretické části je porovnání různých metod růstu s detailnějším popisem metody ALD. Dále jsou popsány vybrané metody charakterizace tenkých vrstev. V experimentální části bude popsán proces růstu tenkých vrstev ZnO a měření některých jeho vlastností. Praktické poznatky, které práce přináší by mohly v budoucnu posloužit při růstu ZnO pro konkrétní aplikace.cze
dc.description.abstractThe aim of this work is to present theoretical knowledge on the growth and characterization of thin films, especially metal oxides and semimetals, including their applications in electronics. The theoretical part includes a comparison of different growth methods with a more detailed description of the ALD method. Selected methods for thin film characterization are also described. The experimental part will describe the growth process of ZnO thin films and measurements of some of its properties. The practical knowledge provided by the work could serve in the future growth of ZnO for specific applications.eng
dc.publisherČeské vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.cze
dc.publisherCzech Technical University in Prague. Computing and Information Centre.eng
dc.rightsA university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmleng
dc.rightsVysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmlcze
dc.subjecttenké vrstvycze
dc.subjectdepozice atomárních vrstevcze
dc.subjectALDcze
dc.subjectoxid zinečnatýcze
dc.subjectZnOcze
dc.subjectrůst tenkých vrstevcze
dc.subjectthin filmseng
dc.subjectatomic layer depositioneng
dc.subjectALDeng
dc.subjectzinc oxideeng
dc.subjectZnOeng
dc.subjectthin film depositioneng
dc.titleCharakterizace tenkých oxidových vrstevcze
dc.titleCharacterization of the Thin Oxide Layerseng
dc.typediplomová prácecze
dc.typemaster thesiseng
dc.contributor.refereeHospodková Alice
theses.degree.disciplineElektronikacze
theses.degree.grantorkatedra mikroelektronikycze
theses.degree.programmeElektronika a komunikacecze


Files in this item




This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record