Inteligentní budič SiC tranzistorů

Abstract

Diplomová práce řeší rozdílná specifika buzení tranzistoru SiC MOSFET a IGBT a z toho plynoucí požadavky na budící obvody. Dále je popsána funkce konvenčního budiče a nalezeno jeho optimální nastavení. Hlavním cílem práce je navržení metody, která překoná konvenční budící obvody. Tento nový způsob řízení tranzistoru je pak detailně zkoumán na modelu silového obvodu SiC tranzistoru v prostřední LT Spice. Je nalezen potenciál metody s využitím ideálních součástek v obvodu hradla. Poslední fáze je věnována praktické realizaci takovéhoto budiče a validace výsledků měřením.

The diploma thesis deals with different specifics of SiC MOSFET and IGBT transistor switching and the resulting requirements for driving circuits. Further it describes a function of of a conventional driver and its optimal settings. The main purpose of the research is to propose a method that will outperform the conventional driving circuits. This new control method is then investigated in detail on SiC transistor power circuit model in LT Spice environment. The potential of the method is found with the use of ideal components in gate circuit. The last phase is focused on the practical implementation of the driver and validation of the results by measurement.