Show simple item record

A study of radiation tolerance of the monolithic silicon detectors



dc.contributor.advisorMarčišovský Michal
dc.contributor.authorVáclav Trličík
dc.date.accessioned2020-09-08T08:51:13Z
dc.date.available2020-09-08T08:51:13Z
dc.date.issued2020-09-03
dc.identifierKOS-778483491105
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10467/90571
dc.description.abstractPodrobná znalost radiačního prostředí na orbitě Země je dnes, vlivem rapidního růstu počtu satelitů, více žádoucí než kdy dřív. Jedním z nejlepších nástrojů pro zmapování tohoto prostředí a sledování dynamických procesů v něm jsou segmentované polovodičové detektory. Jejich výhodou oproti jiným typům detektorů jsou jejich unikátní vlastnosti, mezi které patří například kompaktní rozměry, spolehlivost, schopnost téměř okamžité detekce nabitých částic, malá spotřeba a velký dynamický rozsah. Cílem této práce je změřit radiační odolnost dvou monolitických pixelových detektorů vyvinutých ve 180 nm SoI technologii na FJFI, ČVUT, ozařovaných zdrojem gama fotonů 60Co s celkovou absorbovanou dávkou záření 38,2 kGy. Proměřoval se vliv absorbované dávky na voltampérovou charakteristiku tranzistorových testovacích struktur, velikost temného proudu, velikost prahového napětí a celkovou energetickou spotřebu detektorů.cze
dc.description.abstractDetailed knowledge of the space radiation environment in Earth orbit is nowadays more desirable than ever before, due to increase in number of satellite launches and expansion of cosmic activities. Currently the best tools for radiation mapping and for monitoring of dynamic processes in this environment are segmented semiconductor detectors because of their unique properties such as small dimensions, reliability, almost instantaneous detection of ionizing particles, low energy consumption and large dynamic range. Goal of this thesis is to measure the radiation tolerance of two monolithic pixel detectors developed with 180 nm SoI technology in FNSPE, CTU. Both were irradiated by gamma photons using 60Co source with total dose of 38,2 kGy. Measured properties were IV characteristics of transistor test structures, dark current, threshold voltage and power consumption, all as a function of total ionizing dose.eng
dc.publisherČeské vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.cze
dc.publisherCzech Technical University in Prague. Computing and Information Centre.eng
dc.rightsA university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmleng
dc.rightsVysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmlcze
dc.subjectradiační odolnostcze
dc.subject60Cocze
dc.subjectmonolitický pixelový detektorcze
dc.subjectradiation toleranceeng
dc.subject60Coeng
dc.subjectmonolithic pixel detectoreng
dc.titleStudium radiační odolnosti monolitických křemíkových detektorůcze
dc.titleA study of radiation tolerance of the monolithic silicon detectorseng
dc.typebakalářská prácecze
dc.typebachelor thesiseng
dc.contributor.refereeMikeštíková Marcela
theses.degree.disciplineExperimentální jaderná a částicová fyzikacze
theses.degree.grantorkatedra fyzikycze
theses.degree.programmeAplikace přírodních vědcze


Files in this item

FilesSizeFormatView

There are no files associated with this item.

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record