Simulace iontové implantace
Simulation of ion implantation
Type of document
diplomová prácemaster thesis
Author
Miroslav Lebeda
Supervisor
Drahokoupil Jan
Opponent
Pospíšil Miroslav
Field of study
Inženýrství pevných látekStudy program
Aplikace přírodních vědInstitutions assigning rank
katedra inženýrství pevných látekRights
A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmlVysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html
Metadata
Show full item recordAbstract
Tato práce se zabývá simulací implantace iontu N+ do -titanové matrice v rámci molekulární dynamiky. K temto úcelum je vytvoren vlastní skript v kódu LAMMPS, jehož mírnou modifikací lze studovat ruzné pocátecní podmínky implantace. Použitý meziatomový potenciál je zvolen typu 2NN-MEAM, címž je zároven testována jeho robustnost pro tento systém. Je naznacena také vlastní optimalizace potenciálu MEAM s použitím výpoctu z teorie funkcionálu hustoty (DFT), která z casových duvodu nebyla zatím detailne testována. Simulace implantace je provedena pro pocátecní energie iontu 2 a 4 keV a výsledky jsou porovnány s daty z programu TRIM. Predpovedi více než dvojnásobných implantacních hloubek z molekulární dynamiky svedcí o nevhodné parametrizaci pro tento systém a potrebe její modifikace ci pridání parametru pro doplnkové repulzivní/atraktivní interakce. This work deals with the implantation of N+ into the -titanium matrix within the molecular dynamics approach. For this purpose we have developed a script in LAMMPS code which can be used with a small modification for the studying of different initial conditions of implantation. The 2NN-MEAM potential is used. Also, the basics of our own optimization of the MEAM potential for the Ti-N system are shown. The implantation process is simulated for the initial energy of 2 and 4 keV of ions and the results are compared with the data from Monte Carlo simulations (TRIM). The prediction of more than two times greater implantation depth from molecular dynamics indicates inappopriate parametrization for this system. Therefore, its modification or addition of parameters for extra repulsive/atractive interaction is needed.