Zobrazit minimální záznam

Simulation of ion implantation



dc.contributor.advisorDrahokoupil Jan
dc.contributor.authorMiroslav Lebeda
dc.date.accessioned2020-07-27T12:02:48Z
dc.date.available2020-07-27T12:02:48Z
dc.date.issued2020-07-16
dc.identifierKOS-921546247405
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10467/89314
dc.description.abstractTato práce se zabývá simulací implantace iontu N+ do -titanové matrice v rámci molekulární dynamiky. K temto úcelum je vytvoren vlastní skript v kódu LAMMPS, jehož mírnou modifikací lze studovat ruzné pocátecní podmínky implantace. Použitý meziatomový potenciál je zvolen typu 2NN-MEAM, címž je zároven testována jeho robustnost pro tento systém. Je naznacena také vlastní optimalizace potenciálu MEAM s použitím výpoctu z teorie funkcionálu hustoty (DFT), která z casových duvodu nebyla zatím detailne testována. Simulace implantace je provedena pro pocátecní energie iontu 2 a 4 keV a výsledky jsou porovnány s daty z programu TRIM. Predpovedi více než dvojnásobných implantacních hloubek z molekulární dynamiky svedcí o nevhodné parametrizaci pro tento systém a potrebe její modifikace ci pridání parametru pro doplnkové repulzivní/atraktivní interakce.cze
dc.description.abstractThis work deals with the implantation of N+ into the -titanium matrix within the molecular dynamics approach. For this purpose we have developed a script in LAMMPS code which can be used with a small modification for the studying of different initial conditions of implantation. The 2NN-MEAM potential is used. Also, the basics of our own optimization of the MEAM potential for the Ti-N system are shown. The implantation process is simulated for the initial energy of 2 and 4 keV of ions and the results are compared with the data from Monte Carlo simulations (TRIM). The prediction of more than two times greater implantation depth from molecular dynamics indicates inappopriate parametrization for this system. Therefore, its modification or addition of parameters for extra repulsive/atractive interaction is needed.eng
dc.publisherČeské vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.cze
dc.publisherCzech Technical University in Prague. Computing and Information Centre.eng
dc.rightsA university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmleng
dc.rightsVysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmlcze
dc.subjectmolekulární dynamikacze
dc.subjectDFTcze
dc.subjectiontová implantacecze
dc.subjectTi-Ncze
dc.subjectmolecular dynamicseng
dc.subjectDFTeng
dc.subjection implantationeng
dc.subjectTi-Neng
dc.titleSimulace iontové implantacecze
dc.titleSimulation of ion implantationeng
dc.typediplomová prácecze
dc.typemaster thesiseng
dc.contributor.refereePospíšil Miroslav
theses.degree.disciplineInženýrství pevných látekcze
theses.degree.grantorkatedra inženýrství pevných látekcze
theses.degree.programmeAplikace přírodních vědcze


Soubory tohoto záznamu




Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích

Zobrazit minimální záznam