Budící obvody pro SiC tranzistory s nadproudovou ochranou

Abstract

Práce se zabývá návrhem zkratové ochrany s Rogowského cívkou pro tranzistory SiC MOSFET. V úvodu jsou popsány tranzistory na bázi karbidu křemíku a jejich porovnání s klasickými křemíkovými. Následuje přehled základních požadavků na budící obvody pro tranzistory. Pokračuje návrhem Rogowského cívek na desku plošného spoje. A v závěru je porovnává navržená zkratová ochrana s Rogowského cívkou s desaturační ochranou.

The thesis describes design of a Rogowski current sensor for gate-drive short circuit protection of SiC MOSFET. In the introduction are described transistors based on silicon carbide and their comparison with conventional silicon transistors. The following is an overview of the basic requirements for gate driver circuits for transistors. It continues by designing Rogowski coils on printed circuit board. Finally, it compares the proposed short-circuit protection based on Rogowski coil current sensor with desaturation protection.