Budící obvody pro SiC tranzistory s nadproudovou ochranou
SiC transistor driver with overcurrent protection
dc.contributor.advisor | Lev Miroslav | |
dc.contributor.author | Roman Mrzena | |
dc.date.accessioned | 2020-01-24T10:51:19Z | |
dc.date.available | 2020-01-24T10:51:19Z | |
dc.date.issued | 2020-01-23 | |
dc.identifier | KOS-860412660005 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10467/86032 | |
dc.description.abstract | Práce se zabývá návrhem zkratové ochrany s Rogowského cívkou pro tranzistory SiC MOSFET. V úvodu jsou popsány tranzistory na bázi karbidu křemíku a jejich porovnání s klasickými křemíkovými. Následuje přehled základních požadavků na budící obvody pro tranzistory. Pokračuje návrhem Rogowského cívek na desku plošného spoje. A v závěru je porovnává navržená zkratová ochrana s Rogowského cívkou s desaturační ochranou. | cze |
dc.description.abstract | The thesis describes design of a Rogowski current sensor for gate-drive short circuit protection of SiC MOSFET. In the introduction are described transistors based on silicon carbide and their comparison with conventional silicon transistors. The following is an overview of the basic requirements for gate driver circuits for transistors. It continues by designing Rogowski coils on printed circuit board. Finally, it compares the proposed short-circuit protection based on Rogowski coil current sensor with desaturation protection. | eng |
dc.publisher | České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum. | cze |
dc.publisher | Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre. | eng |
dc.rights | A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html | eng |
dc.rights | Vysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html | cze |
dc.subject | Rogowského cívka | cze |
dc.subject | SiC | cze |
dc.subject | MOSFET | cze |
dc.subject | budič | cze |
dc.subject | zkratová ochrana | cze |
dc.subject | Rogowski coil | eng |
dc.subject | SiC | eng |
dc.subject | MOSFET | eng |
dc.subject | gate driver | eng |
dc.subject | short circuit protection | eng |
dc.title | Budící obvody pro SiC tranzistory s nadproudovou ochranou | cze |
dc.title | SiC transistor driver with overcurrent protection | eng |
dc.type | diplomová práce | cze |
dc.type | master thesis | eng |
dc.contributor.referee | Richter Michal | |
theses.degree.discipline | Elektroenergetika | cze |
theses.degree.grantor | katedra elektroenergetiky | cze |
theses.degree.programme | Elektrotechnika, energetika a management | cze |
Soubory tohoto záznamu
Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích
-
Diplomové práce - 13115 [389]