Vliv neutronového ozáření na charakteristiky výkonových PiN diod

Petr Smrkovský

The influence on neutron irradiation on power PiN diode characteristics

Type of document

MAGISTERSKÁ PRÁCE
MASTER'S THESIS

Author

Petr Smrkovský

Supervisor

Hazdra Pavel

Opponent

Belas Eduard

Field of study

Elektronika

Study program

Elektronika a komunikace

Institutions assigning rank

katedra mikroelektroniky

Rights

A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html.
Vysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html.

Metadata

Show full item record

Abstract

Tato práce porovnává vliv neutronového záření na statické charakteristiky výkonových PiN diod realizovaných na bázi křemíku a karbidu křemíku (polytyp 4H-SiC). Pro ozáření diod byl využit výzkumný reaktor LR-0 umístěný v Centru výzkumu Řež s.r.o.

This thesis deals with an effect of neutron irradiation on static characteristics power PiN diodes based on silicon and silicon carbide. For irradiation of diodes was used research reactor LR-0 located in Research Center Rez ltd.