Návrh LDO regulátoru s ultra nízkým klidovým proudem

Abstract

Tato práce se zabývá návrhem LDO regulátoru napětí s ultra nízkým klidovým proudem v technologii BCD8 společnosti STMicroelectronics. Jedná se o návrh kompletního čipu včetně band-gap napěťové reference umožňující 4-bitový trimming, teplotní ochrany, nadproudové ochrany, enable logiky a proudové reference. V první kapitole jsou uvedeny definice důležitých parametrů týkajících se regulace napětí a funkce MOS tranzistorů. Druhá kapitola se věnuje principům napěťových regulátorů. Teorie bang-gap referencí je popsána v kapitole 3. Následující kapitola 4 je plně věnována samotnému návrhu kompletního čipu včetně popisu jednotlivých bloků. Výsledky simulací jsou uvedeny v kapitole 5.

This thesis deals with design of an ultra-low quiescent current LDO voltage regulator in BCD8 technology of STMicroelectronics company. Design of a complete chip is described, including a band-gap voltage reference with 4-bit trimming circuit, thermal protection, current limiting circuit, enable control and a reference current generator as well. The first chapter sums up definitions of voltage regulation parameters and important parameters of MOS transistors. The second chapter deals with principles of voltage regulators. Bang-gap voltage references theory and describing main types of band-gap references is done in chapter 3. Following chapter 4 is fully dedicated to the design of the complete chip with detailed description of each block. Simulation results are shown in chapter 5.