Hledat
Zobrazují se záznamy 1-1 z 1
Luminiscenční vlastnosti GaN a heterostruktur na bázi GaN, Luminescence properties of GaN and GaN based heterostructures
; Vedoucí práce: Oswald Jiří; Oponent práce: Hubík Pavel (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2016-06-30)
Cílem této bakalářské práce je prispět k určení bodových defektů v polovodiči GaN a heterostrukturách InGaN/GaN, které by mělo pomoci k následnému snížení jejich koncentrace při další přípravě těchto materiálů. K tomu bylo ...