ČVUT DSpace
  • Search DSpace
  • Čeština
  • Login
  • Čeština
  • Čeština
View Item 
  •   ČVUT DSpace
  • Czech Technical University in Prague
  • Faculty of Nuclear Sciences and Physical Engineering
  • Department of Solid State Engineering
  • Bachelor Theses - 14111
  • View Item
  • Czech Technical University in Prague
  • Faculty of Nuclear Sciences and Physical Engineering
  • Department of Solid State Engineering
  • Bachelor Theses - 14111
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Luminiscenční vlastnosti GaN a heterostruktur na bázi GaN

Luminescence properties of GaN and GaN based heterostructures

Type of document
bakalářská práce
bachelor thesis
Author
Hájek František
Supervisor
Oswald Jiří
Opponent
Hubík Pavel
Field of study
Inženýrství pevných látek
Study program
Aplikace přírodních věd
Institutions assigning rank
katedra inženýrství pevných látek
Defended
2016-09-01



Rights
A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://www.cvut.cz/sites/default/files/content/d1dc93cd-5894-4521-b799-c7e715d3c59e/cs/20160901-metodicky-pokyn-c-12009-o-dodrzovani-etickych-principu-pri-priprave-vysokoskolskych.pdf
Vysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://www.cvut.cz/sites/default/files/content/d1dc93cd-5894-4521-b799-c7e715d3c59e/cs/20160901-metodicky-pokyn-c-12009-o-dodrzovani-etickych-principu-pri-priprave-vysokoskolskych.pdf
Metadata
Show full item record
Abstract
Cílem této bakalářské práce je prispět k určení bodových defektů v polovodiči GaN a heterostrukturách InGaN/GaN, které by mělo pomoci k následnému snížení jejich koncentrace při další přípravě těchto materiálů. K tomu bylo využito metod luminiscenční spektroskopie, konkrétně měření emisních luminiscenčních spekter v závislosti na intenzitě excitačního záření. Určení přítomnosti konkrétních defektů z emisního luminiscenčního spektra je obtížné, nebot' jejich chování není stále teoreticky dobře popsáno. Typ defektu lze určit podle pozorovaného chování spektra, které je charakteristické pro určité typy zářivých přechodů odpovídajících danému typu defektu. Největší pozornost zde byla věnována tzv. žlutému pásu v GaN, který je dominantní při pokojové teplotě. Zkoumány byly vzorky nejčastěji vyrobené pomocí metody MOVPE. Obvykle pozorovaný pás ve spektru GaN byl žlutý pás s maximem na energii okolo 2;20 eV, které v samostatném GaN neměnilo svoji pozici v závislosti na intenzitě excitace. U heterostruktur bylo chování tohoto pásu různé, případně zcela chyběl. Z výsledků vyplývá, že s největší pravděpodobností je za žlutý pás v GaN zodpovědný defekt chovající se jako hluboký donor či akceptor, konkrétně zřejmě komplex CNON. Výsledky této práce umožňují určit pravděpodobné typy bodových defektů ve vzorcích GaN. Určení bodových poruch v heterostrukturách InGaN/GaN je problematické, protože chybí teoretické výpočty pro slitinu InGaN.
 
The aim of this bachelor project is contribution to point defect determination in semiconductor GaN and heterostructures InGaN/GaN. It should help to lower the defect concentration in further preparation of these materials. Methods of luminescence spectroscopy were used, namely measurement of emission spectra in dependence on the excitation intensity. Determination of specic point defects by this method is still difficult because their behaviour is not theoretically well-described. It is possible to determine the type of the defect from spectra behaviour which is characteristic for certain optical transitions. Most attention was payed to so called yellow band in GaN which is dominant for the room temperatures. Samples grown by MOVPE were mostly studied. Yellow band peaking at 2:20 eV was commonly observed. In free-standing GaN position of its maximum was not changing with different excitation intensities. Its behaviour in heterostructures was various, sometimes it was not observed at all. Our results show that defects acting as deep donors or deep acceptors are responsible for yellow band, namely CNON complex. The results enable to determine most probably types of point defects in GaN samples. Point defect determination in heterostructures InGaN/GaN is questionable because the theoretical calculations are still not avaliable for InGaN alloy.
 
URI
http://hdl.handle.net/10467/65984
View/Open
PLNY_TEXT (1.419Mb)
Collections
  • Bakalářské práce - 14111 [34]

České vysoké učení technické v Praze copyright © 2016 

DSpace software copyright © 2002-2016  Duraspace

Contact Us | Send Feedback
Theme by 
@mire NV
 

 

Useful links

CTU in PragueCentral library of CTUAbout CTU Digital LibraryResourcesStudy and library skillsResearch support

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjects

My Account

Login

České vysoké učení technické v Praze copyright © 2016 

DSpace software copyright © 2002-2016  Duraspace

Contact Us | Send Feedback
Theme by 
@mire NV