Prohlížení Bakalářské práce - 14111 dle předmětu "semiconductor, point defect, heterostructure, luminiscence spectroscopy"
Zobrazují se záznamy 1-1 z 1
-
Luminiscenční vlastnosti GaN a heterostruktur na bázi GaN
; Vedoucí práce: Oswald Jiří; Oponent práce: Hubík Pavel
(České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2016-06-30)Cílem této bakalářské práce je prispět k určení bodových defektů v polovodiči GaN a heterostrukturách InGaN/GaN, které by mělo pomoci k následnému snížení jejich koncentrace při další přípravě těchto materiálů. K tomu bylo ...