• Charakterizace fotonapětí Si-V optických center v tenkých vrstvách diamantu 

      Autor: Maxmilian Marek; Vedoucí práce: Rezek Bohuslav; Oponent práce: Čermák Jan
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2024-01-22)
      SiV (křemíková-vakantní) centra jsou opticky aktivní defekty v diamantové matici, které mají unikátní vlastnosti v podobě vysoké fotostability, biokompatibility a také jsou inertní. Použití SiV center je v současné době ...