Prohlížení Diplomové práce - 13115 dle předmětu "SiC"
Zobrazují se záznamy 1-1 z 1
-
Budící obvody pro SiC tranzistory s nadproudovou ochranou
; Vedoucí práce: Lev Miroslav; Oponent práce: Richter Michal
(České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2020-01-23)Práce se zabývá návrhem zkratové ochrany s Rogowského cívkou pro tranzistory SiC MOSFET. V úvodu jsou popsány tranzistory na bázi karbidu křemíku a jejich porovnání s klasickými křemíkovými. Následuje přehled základních ...