Show simple item record

Radiation effects in semiconductor detectors

dc.contributor.advisorVrba Václav
dc.contributor.authorSedláčková Markéta
dc.date.accessioned2014-06-27T12:04:24Z
dc.date.available2014-06-27T12:04:24Z
dc.date.issued2014-06-27
dc.date.submitted2014-06-27 13:03:27.0
dc.identifier521250445905
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10467/24148
dc.description.abstractTato diplomová práce se zabývá studiem radiačních efektů v polovodičových detektorech záření a jeho částech: v senzorech i elektronice. Bylo provedeno měření vlastností testovacích vzorků před a po ozáření, které se uskutečnilo na jaderném reaktoru LVR-15 v Řeži ve směsném poli neutronů a fotonů. Měřené struktury byly tranzistory, které byly součástí integrovaného obvodu. Byly zkoumány voltampérové charakteristiky MOSFET tranzistorů a byla pozorována jejich změna po ozáření. Dále byl studován posuv prahového napětí a diskutován vliv radiačního poškození na jeho chování. Bylo pozorováno snížení mobility vlivem dvou efektů: příčného působení elektrického pole a vlivem radiačního poškození čipu. Analogová i digitální spotřeba proudu čipů po ozáření dávkou neutronů 3?1015 n/cm2 za 60 s vzrostla v průměru o 10 %.
dc.description.abstractIn this thesis the radiation effects in semiconductor detectors, both in the sensor and the electronics, were studied. A measurement of radiation effects and their analysis was performed. The measurement took place at the light water nuclear reactor LVR-15 of the Research Centre Rez Ltd. For the studied measurement, semiconductor circuits were irradiated by combined neutron and gamma fields. Test structures consisting of MOSFET transistors were analyzed. It was shown that their current-voltage characteristics change with irradiation. Also, the threshold voltage of these test structures was discussed as well as the radiation induced shift of its value. Mobility degradation was observed as a result of the vertical field mobility degradation effect and the radiation damage induced to the chip. Current consumption of the chips after irradiation by neutron fluence of 3?1015 n/cm2 for 60 s has in average raised for both the analog and digital current by 10 %.eng
dc.language.isoeng
dc.publisherČeské vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.cze
dc.rightsA university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one’s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://www.cvut.cz/sites/default/files/content/d1dc93cd-5894-4521-b799-c7e715d3c59e/cs/20160901-metodicky-pokyn-c-12009-o-dodrzovani-etickych-principu-pri-priprave-vysokoskolskych.pdf.eng
dc.rightsVysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://www.cvut.cz/sites/default/files/content/d1dc93cd-5894-4521-b799-c7e715d3c59e/cs/20160901-metodicky-pokyn-c-12009-o-dodrzovani-etickych-principu-pri-priprave-vysokoskolskych.pdf.cze
dc.titleRadiační efekty v polovodičových detektorech záření
dc.titleRadiation effects in semiconductor detectorseng
dc.typediplomová prácecze
dc.date.updated2014-06-27T12:04:24Z
dc.date.accepted2014-06-04 00:00:00.0
dc.contributor.refereeMikeštíková Marcela
dc.description.departmentkatedra fyzikycze
theses.degree.nameIng.cze
theses.degree.disciplineExperimentální jaderná a částicová fyzikacze
theses.degree.grantorFakulta jaderná a fyzikálně inženýrskácze
theses.degree.programmeAplikace přírodních vědcze
evskp.contactČVUTcze


Files in this item


This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record