ČVUT DSpace
  • Prohledat DSpace
  • English
  • Přihlásit se
  • English
  • English
Zobrazit záznam 
  •   ČVUT DSpace
  • České vysoké učení technické v Praze
  • Fakulta elektrotechnická
  • katedra elektromagnetického pole
  • Bakalářské práce - 13117
  • Zobrazit záznam
  • České vysoké učení technické v Praze
  • Fakulta elektrotechnická
  • katedra elektromagnetického pole
  • Bakalářské práce - 13117
  • Zobrazit záznam
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Návrh a realizace napájecího T obvodu

Design and Realization of the Bias T Circuit

Typ dokumentu
bakalářská práce
bachelor thesis
Autor
Jakub Kocev
Vedoucí práce
Spáčil Jan
Oponent práce
Sláma Libor
Studijní program
Elektronika a komunikace
Instituce přidělující hodnost
katedra elektromagnetického pole



Práva
A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html
Vysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html
Metadata
Zobrazit celý záznam
Abstrakt
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem a realizací vysokofrekvenčního širokopásmového napájecího T-obvodu. Obvod je navržen pro frekvenční rozsah od 100 MHz do 8,5 GHz. Návrh byl proveden s ohledem na vysoký přenášený výkon až 40 dBm, stejnosměrného napětí 40 V a proudového zatížení 0,8 A. K realizaci byla využita technologie diskrétních SMD součástek osazených na plošném spoji z materiálu EM-888K. Návrh a simulace byly provedeny v prostředí AWR Microwave Office. Dále byla zhotovena fyzická realizace obvodu, která byla testována a porovnána se simulacemi.
 
This bachelor's thesis focuses on the design and implementation of a high-frequency broadband power biasTee. The circuit is designed for a frequency range from 100 MHz to 8.5 GHz. The design was carried out with respect to high transmitted power up to 40 dBm, a DC voltage of 40 V, and a current load of 0.8 A. The implementation utilized discrete SMD components mounted on a printed circuit board made of EM-888K material. The design and simulations were performed in the AWR Microwave Office environment.Furthermore, a physical prototype of the circuit was fabricated, tested, and compared with the simulation results.
 
URI
http://hdl.handle.net/10467/123326
Zobrazit/otevřít
POSUDEK (860.1Kb)
POSUDEK (740.2Kb)
PLNY_TEXT (22.09Mb)
Kolekce
  • Bakalářské práce - 13117 [154]

České vysoké učení technické v Praze copyright © 2016 

DSpace software copyright © 2002-2016  Duraspace

Kontaktujte nás | Vyjádření názoru
Theme by 
@mire NV
 

 

Užitečné odkazy

ČVUT v PrazeÚstřední knihovna ČVUTO digitální knihovně ČVUTInformační zdrojePodpora studiaPodpora publikování

Procházet

Vše v DSpaceKomunity a kolekceDle data publikováníAutořiNázvyKlíčová slovaTato kolekceDle data publikováníAutořiNázvyKlíčová slova

Můj účet

Přihlásit se

České vysoké učení technické v Praze copyright © 2016 

DSpace software copyright © 2002-2016  Duraspace

Kontaktujte nás | Vyjádření názoru
Theme by 
@mire NV