Vliv teploty na paralelní odpor fotovoltaických modulů

Abstract

Cílem této práce je prozkoumat vliv teploty na paralelní odpor fotovoltaických modulů. V teoretické části jsou podrobněji popsány pouzdřící materiály pro monokrystalické křemíkové moduly. Pozornost je věnována především jejich vlastnostem, jejich degradaci a možnostem jejich použití. Dále se v teoretické části popisují měřící metody použité v rámci experimentu. Konkrétně jde o metody impedanční spektroskopie, elektroluminiscence, měření V-A charakteristik pomocí flash testu a měření charakteristik při zastínění (dark current). V experimentální části jsou popsány výsledky měření a zhodnocen vliv teploty na paralelní odpor modulů. Dále byla zkoumána vazba mezi kapacitou a typy konstrukce fotovoltaických modulů.

The aim of this work is to investigate the effect of temperature on the shunt resistance of photovoltaic modules. The theoretical part describes in detail the encapsulating materials for monocrystalline silicon modules. Attention is paid mainly to their properties, their degradation and the possibilities of their use. Furthermore, the theoretical part describes the measurement methods used in the experiment. Specifically, these methods are impedance spectroscopy, electroluminescence, measurement of V-A characteristics using a flash test and measurement of shading characteristics (dark current). The measurement results are described in the experimental part and the effect of temperature on the shunt resistance of the modules is evaluated. Finally, the relationship between the capacity and the construction types of photovoltaic modules was investigated.