Zobrazit minimální záznam

Scintillation heterostructures with InGaN quantum wells



dc.contributor.advisorHospodková Alice
dc.contributor.authorJan Batysta
dc.date.accessioned2022-06-06T10:51:36Z
dc.date.available2022-06-06T10:51:36Z
dc.date.issued2022-06-01
dc.identifierKOS-1089439064605
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10467/101241
dc.description.abstractDiplomová práce se zabývá technologií přípravy scintilačních heterostruktur na bázi InGaN/GaN kvantových jam metodou organokovové epitaxe z plynné fáze. Dále se zabývá modelováním těchto heterostruktur pomocí softwaru nextnano. Cílem práce je na základě nabytých zkušeností navrhnout a připravit heterostruktury s vylepšenými vlastnostmi pro scintilační aplikace. V rámci práce byly navrženy různé scintilační struktury a možné optimalizace dosud používaných struktur, nebo jejich částí. V rámci práce byly vyrobeny tři vzorky, které následně byly charakterizovány spektroskopickými metodami.cze
dc.description.abstractThis thesis studies the technology of making scintilating heterostructures based on InGaN/GaN quantum wells utilizing metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE). It deals with modeling these heterostructures using the nextnano software. The thesis' goal is to use gained experiences to design and manufacture heterestructures with enhanced properties for scintillating applications. Dierent scintilating structures were proposed, as well as some upgrades to the previous structures, or their parts. Three smaples were manufactured and characterised.eng
dc.publisherČeské vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.cze
dc.publisherCzech Technical University in Prague. Computing and Information Centre.eng
dc.rightsA university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmleng
dc.rightsVysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmlcze
dc.subject"Kvantové jámy"cze
dc.subject"InGaN/GaN"cze
dc.subject"MOVPE"cze
dc.subject"Scintilátory"cze
dc.subject"Quantum wells"eng
dc.subject"InGaN/GaN"eng
dc.subject"MOVPE"eng
dc.subject"Scintillators"eng
dc.titleScintilační heterostruktury s InGaN kvantovými jámamicze
dc.titleScintillation heterostructures with InGaN quantum wellseng
dc.typediplomová prácecze
dc.typemaster thesiseng
dc.contributor.refereeGrym Jan
theses.degree.disciplineOptika a nanostrukturycze
theses.degree.grantorkatedra fyzikální elektronikycze
theses.degree.programmeAplikace přírodních vědcze


Soubory tohoto záznamu




Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích

Zobrazit minimální záznam