Scintilační heterostruktury s InGaN kvantovými jámami

Abstract

Diplomová práce se zabývá technologií přípravy scintilačních heterostruktur na bázi InGaN/GaN kvantových jam metodou organokovové epitaxe z plynné fáze. Dále se zabývá modelováním těchto heterostruktur pomocí softwaru nextnano. Cílem práce je na základě nabytých zkušeností navrhnout a připravit heterostruktury s vylepšenými vlastnostmi pro scintilační aplikace. V rámci práce byly navrženy různé scintilační struktury a možné optimalizace dosud používaných struktur, nebo jejich částí. V rámci práce byly vyrobeny tři vzorky, které následně byly charakterizovány spektroskopickými metodami.

This thesis studies the technology of making scintilating heterostructures based on InGaN/GaN quantum wells utilizing metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE). It deals with modeling these heterostructures using the nextnano software. The thesis' goal is to use gained experiences to design and manufacture heterestructures with enhanced properties for scintillating applications. Dierent scintilating structures were proposed, as well as some upgrades to the previous structures, or their parts. Three smaples were manufactured and characterised.