ČVUT DSpace
  • Prohledat DSpace
  • English
  • Přihlásit se
  • English
  • English
Zobrazit záznam 
  •   ČVUT DSpace
  • České vysoké učení technické v Praze
  • Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská
  • katedra fyzikální elektroniky
  • Diplomové práce - 14112
  • Zobrazit záznam
  • České vysoké učení technické v Praze
  • Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská
  • katedra fyzikální elektroniky
  • Diplomové práce - 14112
  • Zobrazit záznam
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Scintilační heterostruktury s InGaN kvantovými jámami

Scintillation heterostructures with InGaN quantum wells

Typ dokumentu
diplomová práce
master thesis
Autor
Jan Batysta
Vedoucí práce
Hospodková Alice
Oponent práce
Grym Jan
Studijní obor
Optika a nanostruktury
Studijní program
Aplikace přírodních věd
Instituce přidělující hodnost
katedra fyzikální elektroniky



Práva
A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html
Vysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html
Metadata
Zobrazit celý záznam
Abstrakt
Diplomová práce se zabývá technologií přípravy scintilačních heterostruktur na bázi InGaN/GaN kvantových jam metodou organokovové epitaxe z plynné fáze. Dále se zabývá modelováním těchto heterostruktur pomocí softwaru nextnano. Cílem práce je na základě nabytých zkušeností navrhnout a připravit heterostruktury s vylepšenými vlastnostmi pro scintilační aplikace. V rámci práce byly navrženy různé scintilační struktury a možné optimalizace dosud používaných struktur, nebo jejich částí. V rámci práce byly vyrobeny tři vzorky, které následně byly charakterizovány spektroskopickými metodami.
 
This thesis studies the technology of making scintilating heterostructures based on InGaN/GaN quantum wells utilizing metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE). It deals with modeling these heterostructures using the nextnano software. The thesis' goal is to use gained experiences to design and manufacture heterestructures with enhanced properties for scintillating applications. Dierent scintilating structures were proposed, as well as some upgrades to the previous structures, or their parts. Three smaples were manufactured and characterised.
 
URI
http://hdl.handle.net/10467/101241
Zobrazit/otevřít
POSUDEK (411.7Kb)
POSUDEK (197.0Kb)
PLNY_TEXT (18.81Mb)
Kolekce
  • Diplomové práce - 14112 [149]

České vysoké učení technické v Praze copyright © 2016 

DSpace software copyright © 2002-2016  Duraspace

Kontaktujte nás | Vyjádření názoru
Theme by 
@mire NV
 

 

Užitečné odkazy

ČVUT v PrazeÚstřední knihovna ČVUTO digitální knihovně ČVUTInformační zdrojePodpora studiaPodpora publikování

Procházet

Vše v DSpaceKomunity a kolekceDle data publikováníAutořiNázvyKlíčová slovaTato kolekceDle data publikováníAutořiNázvyKlíčová slova

Můj účet

Přihlásit se

České vysoké učení technické v Praze copyright © 2016 

DSpace software copyright © 2002-2016  Duraspace

Kontaktujte nás | Vyjádření názoru
Theme by 
@mire NV