Prohlížení dle předmětu "Diamond"
Zobrazují se záznamy 1-4 z 4
-
Effect of substrate crystalline orientation on boron-doped homoepitaxial diamond growth
(Elsevier Science, 2022)The article deals with the growth of boron-doped diamond on substrates with a misorientation angle from 0 to 90°. The variation of the boron incorporation over two decades with the misorientation angle of the substrate is ... -
Fotoluminiscenční spektroskopie křemíkových optických center v diamantových vrstvách
; Vedoucí práce: Aubrechtová Dragounová Kateřina; Oponent práce: Varga Marián
(České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2021-06-10)Diplomová práce se zabývá vlivem depozičních parametrů na fotoluminiscenci SiV center vytvářených při výrobě tenkých diamantových vrstev, které jsou připravovány metodou MW PECVD. Cílem bylo minimalizovat množství opticky ... -
Low-resistance ohmic contacts on boron-doped {113} oriented homoepitaxial diamond layers
(Elsevier Science, 2022)Refractory metals (titanium, molybdenum, and zirconium) with a gold overlayer were used to form ohmic contacts on {113}-oriented boron doped diamond epitaxial layers (boron concentration ranging from 1019 to 1021 cm−3). ... -
Pseudo-vertical Mo/Au Schottky diodes on {113} oriented boron doped homoepitaxial diamond layers
(Elsevier Science, 2022)The article reports for the first time about the successful fabrication of pseudo-vertical diodes on {113} oriented homoepitaxial boron-doped diamond using molybdenum as a metal for both the Schottky and ohmic contacts. ...