Elektrická charakterizace křemíkových nanodrátů a součástek nanometrových rozměrů
Electrical characterization of Si nanowires and nanodevices
dc.contributor.advisor | Červenka Jiří | |
dc.contributor.author | Šilhavík Martin | |
dc.date.accessioned | 2018-05-11T10:01:54Z | |
dc.date.available | 2018-05-11T10:01:54Z | |
dc.date.issued | 2017-06-09 | |
dc.identifier | KOS-695600169405 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10467/75989 | |
dc.description.abstract | Tato práce se zabývá přípravou vzorků a charakterizací elektrického transportu v křemíkových nanodrátech rostlých pomocí metody plazmou podpořené chemické depozice z plynné fáze při nízkých teplotách (pod 400°C). V teoretické části je prostudována nízkoteplotní metoda růstu křemíkových nanodrát?, jejich vlastnosti a možné aplikace. V experimentální části je elektrický transport křemíkových nanodrátů charakterizován v závislosti na použitém katalytickém kovu a dopování. U použití galia jsou poprvé naměřeny elektrické vlastnosti odpovídající dopovaným nanodrátům. Toto dopování je při nízkoteplotním růstu poprvé provedeno pouze pomocí katalytického kovu. | cze |
dc.description.abstract | This thesis deals with creation of samples and electrical transport characterization in silicon nanowires using plasma enhanced chemical vapor deposition at low temperatures (under 400°C). Low temperature growth method of silicon nanowires, their properties and possible application is being described in the theoretical part. The electrical transport in silicon nanowires is characterized in the experimental part of this thesis according to used catalytic metal (tin, gallium, bismuth and gold) and doping. The electrical properties corresponding to the doped nanowires are for the first time measured when using gallium as catalytic metal. This doping using catalytic metal is at low temperature growth done for the first time. | eng |
dc.language.iso | CZE | |
dc.publisher | České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum. | cze |
dc.publisher | Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre. | eng |
dc.rights | A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html | eng |
dc.rights | Vysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html | cze |
dc.subject | křemíkové nanodráty,metoda PECVD,dopování křemíkových nanodrátů | cze |
dc.subject | silicon nanowires,PECVD method,doping of silicon nanowires | eng |
dc.title | Elektrická charakterizace křemíkových nanodrátů a součástek nanometrových rozměrů | cze |
dc.title | Electrical characterization of Si nanowires and nanodevices | eng |
dc.type | diplomová práce | cze |
dc.type | master thesis | eng |
dc.date.accepted | 2017-06-14 | |
dc.contributor.referee | Voves Jan | |
theses.degree.discipline | Optika a nanostruktury | cze |
theses.degree.grantor | katedra fyzikální elektroniky | cze |
theses.degree.programme | Aplikace přírodních věd | cze |
Soubory tohoto záznamu
Soubory | Velikost | Formát | Zobrazit |
---|---|---|---|
K tomuto záznamu nejsou připojeny žádné soubory. |
Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích
-
Diplomové práce - 14112 [117]