Elektrická charakterizace křemíkových nanodrátů a součástek nanometrových rozměrů

Abstract

Tato práce se zabývá přípravou vzorků a charakterizací elektrického transportu v křemíkových nanodrátech rostlých pomocí metody plazmou podpořené chemické depozice z plynné fáze při nízkých teplotách (pod 400°C). V teoretické části je prostudována nízkoteplotní metoda růstu křemíkových nanodrát?, jejich vlastnosti a možné aplikace. V experimentální části je elektrický transport křemíkových nanodrátů charakterizován v závislosti na použitém katalytickém kovu a dopování. U použití galia jsou poprvé naměřeny elektrické vlastnosti odpovídající dopovaným nanodrátům. Toto dopování je při nízkoteplotním růstu poprvé provedeno pouze pomocí katalytického kovu.

This thesis deals with creation of samples and electrical transport characterization in silicon nanowires using plasma enhanced chemical vapor deposition at low temperatures (under 400°C). Low temperature growth method of silicon nanowires, their properties and possible application is being described in the theoretical part. The electrical transport in silicon nanowires is characterized in the experimental part of this thesis according to used catalytic metal (tin, gallium, bismuth and gold) and doping. The electrical properties corresponding to the doped nanowires are for the first time measured when using gallium as catalytic metal. This doping using catalytic metal is at low temperature growth done for the first time.