Optimalizace depozičních parametrů tenkých vrstev Nitridu Titanu připravených metodou IJD

Abstract

Tato práce byl zaměřena na přípravu a analýzu tenkých vrstev nitridu titanu deponovaných metodou IJD. Bylo vytvořeno 9 vrstev ve 2 sériích. Vrstvy první série byly deponovány v dusíku a vrstvy druhé série ve směsi dusíku a vodíku. V sérii byly vrstvy rozdílné vstupním tlakem depozičního plynu. Analýza tloušťky vrstev pomocí AFM odhalila exponenciální závislost rychlosti růstu na vstupním tlaku depozičního plynu. Rychlost růstu klesala při zvýšení tlaku. Dále byla pomocí AFM odhalen vztah tloušťky a hrubosti vrstvy. Kvalitativní fázová analýza a analýza ramanových spekter odhalila přítomnost nitridu titanu ve všech vzorcích. Dále byl nalezen hexagonální titan ve vrstvách deponovaných při nižších tlacích. K nejvyšší nitridaci docházelo při depozici vrstvy při vstupním tlaku dusíku 6 bar.

This work was focused on the preparation and analysis of titanium nitride thin films deposited by the IJD method. 9 layers were created in 2 series. The layers of the first series were deposited in nitrogen and the layers of the second series in a mixture of nitrogen and hydrogen. The layers in the series were different in the input pressure of the deposition gas. Analysis of the layer thickness using AFM revealed an exponential dependence of the growth rate on the input pressure of the deposition gas. The growth rate decreased with increasing pressure. Furthermore, the dependenci between the thickness and roughness of the layer was revealed using AFM. Qualitative phase analysis and analysis of Raman spectra revealed the presence of titanium nitride in all samples. Furthermore, hexagonal titanium was found in the layers deposited at lower pressures. The highest nitridation occurred when the layer was deposited at an input pressure of nitrogen of 6 bar.