Luminiscence barevných center v diamantu
Luminescence of colour centres in diamond
Typ dokumentu
bakalářská prácebachelor thesis
Autor
Zdeněk Doležal
Vedoucí práce
Aubrechtová Dragounová Kateřina
Oponent práce
Remeš Zdeněk
Studijní obor
Inženýrství pevných látekStudijní program
Fyzikální inženýrstvíInstituce přidělující hodnost
katedra inženýrství pevných látekPráva
A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmlVysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html
Metadata
Zobrazit celý záznamAbstrakt
Práce se zaměřuje na výrobu tenkých nanokrystalických diamantových filmů obsahujících barevná centra křemík-uhlíkové vakance (Si-V). Metodou MWPE CVD bylo připraveno 16 různých vzorků, které byly podrobeny zkoumání vlivu křemíkové dopace, povrchové terminace a doby depozice na výslednou intenzitu fotoluminiscence. Hlavní pozornost je věnována spektroskopické charakterizaci vzniklých filmů. Dále byla provedena charakterizace povrchu vzorků pomocí měření kontaktního úhlu povrchu a demineralizované vody a mikroskopických metod. Bylo zjištěno, že s dobou depozice roste ultrananokrystalický charakter filmů. Luminiscence s rostoucí dobou depozice klesá, což omezuje použití vybraného způsobu dopování křemíkem na tenké filmy. Taktéž bylo dokázáno, že vliv nezáměrného dopování na koncentraci Si-V center je zanedbatelný. Vliv povrchové terminace na emisní spektra se nepodařilo ověřit. The thesis is focused on the fabrication of thin nanocrystalline diamond films containing silicon-vacancy colour centres (Si-V). 16 samples were prepared by MWPE CVD deposition technique, and the influence of silicon doping, surface termination and deposition time on the final Si-V photoluminescence intensity was investigated. The attention was mainly paid to the spectroscopic characterisation of the prepared films. Additionally, the surface characterisation was carried out by means of the contact angle measurement, and microscopic techniques. Based on the experiments, the ultrananocrystalline character rises with the deposition time. The photoluminescence intensity decreases with increasing deposition time, which indicates limits of used doping source. It was also proved that unintentional doping has negligible impact on the concentration of the Si-V centres. The surface termination impact on emission spectra could not be verified.