Prohlížení dle předmětu "Metal oxide semiconductors"
Zobrazují se záznamy 1-1 z 1
-
Studium tenkých vrstev SnO2 s vysokou tloušťkou a drsností povrchu s potenciálními aplikacemi v displejích, solárních článcích a senzorech plynů
; Vedoucí práce: Čada Martin; Oponent práce: Straňák Vítězslav
(České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2025-06-11)Tato práce je zaměřena na studium efektů průtoku kyslíku a teploty substrátu na výsledné Sn tenké vrstvy připravené pomocí reaktivního magnetronového naprašování buzeného pulzy velkého výkonu (HiPIMS). Výsledné tenké vrstvy ...