Modifikace povrchu křemíku grafenoxidem

Abstract

Tato práce se zabývá úpravou povrchu křemíku za účelem jeho pasivace a zvýšení efektivní doby života minoritních nosičů náboje. V teoretivké části je popsán křemíkový wafer a jeho vlastnosti jakožto výchozího materiálu pro úpravy. Pozornost je věnovánataké grafenu a grafen oxidu, jež v dnešní době nachází čím dál větší uplatnění. Dále byl vypracován přehled chemických a fyzikálně chemických úprav povrchu křemíkus podrobějším zaměřením na pasivaci grafen oxidem. Nakonec je popsán základní princip použitých analytických metod. Experimentální část je věnována leptání povrchu křemíku za různých podmínek a následnému vytváření

This thesis deals with surface modification of silicon for the purpose of its passivation and increase of effective minority carrier lifetime. The theoretical part describes silicon wafer and its properties as a starting material for treatments. Attention is also given to graphene and graphene oxide, which are increasingly used today. Furthermore, an overview of chemical and physicochemical methods of silicon surface modifications was prepared with a more detailed focus on the passivation by graphene oxide. Finally, the basic principle of used analytical methods is described. The experimental part is focused on the etching of silicon surface under various conditions and the subsequent formation of passivation layers of graphene oxide. Samples were analysed by FT-IR spectrometry and Raman spectroscopy, the surface of etched wafers was analysed by atomic force microscopy. Further, the effective minority carrier lifetime samples was measured.