Zobrazit minimální záznam

Nové modely vysokonapěťových křemíkových součástek pro radiové frekvence

New models of high voltage semiconductor devices for radio frequencies



dc.contributor.advisorDobeš Josef
dc.contributor.authorStanislav Banáš
dc.date.accessioned2019-04-30T08:19:15Z
dc.date.available2019-04-30T08:19:15Z
dc.date.issued2019-04-06
dc.identifierKOS-413137201705
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10467/81944
dc.description.abstractTato dizertační práce je zaměřena na modelování vysokonapěťových součástek tvořených velmi nízko dotovanými vrstvami. Takovéto součástky se vyznačují vlastnostmi, které ve standardních kompaktních SPICE modelech nejsou obsaženy. Hlavní výsledek této práce je model vysokonapěťového dvouhradlového JFETu obsahujícího jevy jako napěťově závislý pinch-off, nárazová ionizace, zpětné zotavení, vysokofrekvenční jevy nebo bi-modální statistické rozdělení simulovaných parametrů.cze
dc.description.abstractThis thesis is focused on the modeling of high-voltage components built from low doped layers and therefore containing effects not covered by standard compact SPICE models. The main result of this work is a model of high-voltage dual-gate JFET covering effects like voltage dependent pinch-off, impact ionization, reverse recovery, high frequency effects or bi-modal statistical distribution of simulated parameterseng
dc.publisherČeské vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.cze
dc.publisherCzech Technical University in Prague. Computing and Information Centre.eng
dc.rightsA university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmleng
dc.rightsVysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmlcze
dc.subjectFETcze
dc.subjectHV FETcze
dc.subjectJFETcze
dc.subjectSPICEcze
dc.subjectbehavioral modelcze
dc.subjectdriftcze
dc.subjectquazisaturationcze
dc.subjectconvergencecze
dc.subjectdual-gate JFETcze
dc.subjectpinch resistorcze
dc.subjectmodelingcze
dc.subjectparameter extractioncze
dc.subjecthigh voltagecze
dc.subjectreverse recoverycze
dc.subjectRFcze
dc.subjectparasiticcze
dc.subjectRLC networkcze
dc.subjectFETeng
dc.subjectHV FETeng
dc.subjectJFETeng
dc.subjectSPICEeng
dc.subjectbehavioral modeleng
dc.subjectdrifteng
dc.subjectquazisaturationeng
dc.subjectconvergenceeng
dc.subjectdual-gate JFETeng
dc.subjectpinch resistoreng
dc.subjectmodelingeng
dc.subjectparameter extractioneng
dc.subjecthigh voltageeng
dc.subjectreverse recoveryeng
dc.subjectRFeng
dc.subjectparasiticeng
dc.subjectRLC networkeng
dc.titleNové modely vysokonapěťových křemíkových součástek pro radiové frekvencecze
dc.titleNew models of high voltage semiconductor devices for radio frequencieseng
dc.typedisertační prácecze
dc.typedoctoral thesiseng
dc.contributor.refereeBiolek Dalibor
theses.degree.disciplineElektronika (doktorský)cze
theses.degree.grantorkatedra radioelektronikycze
theses.degree.programmeElektrotechnika a informatikacze


Soubory tohoto záznamu

Název:
F3-D-2019-Banas-Stanislav-PhD_ ...
Velikost:
6.161Mb
Formát:
PDF
Popis:
PLNY_TEXT
Zobrazit/otevřít
Název:
F3-X-2019-posudek-Voves_Jan.pdf
Velikost:
160.6Kb
Formát:
PDF
Popis:
POSUDEK
Zobrazit/otevřít

Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích

Zobrazit minimální záznam