Hledat
Zobrazují se záznamy 1-3 z 3
Polovodičové struktury s kvantovými tečkami pro optoelektroniku, Semiconductor structures with quantum dots for optoelectronics
; Vedoucí práce: Oswald Jiří (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum., 2011-10-14)
Kvantové elektroluminiscenční struktury s dlouhovlnnou emisí (1,3 - 1,6 um), Quantum electroluminiscence structures with long wavelength emission (1.3 - 1.6 microns)
; Vedoucí práce: Oswald Jiří (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum., 2014-09-10)
Luminiscenční vlastnosti GaN a heterostruktur na bázi GaN, Luminescence properties of GaN and GaN based heterostructures
; Vedoucí práce: Oswald Jiří; Oponent práce: Hubík Pavel (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2016-06-30)
Cílem této bakalářské práce je prispět k určení bodových defektů v polovodiči GaN a heterostrukturách InGaN/GaN, které by mělo pomoci k následnému snížení jejich koncentrace při další přípravě těchto materiálů. K tomu bylo ...