Browsing katedra inženýrství pevných látek by Subject "semiconductor, point defect, heterostructure, luminiscence spectroscopy"

Now showing items 1-1 of 1

    • Luminiscenční vlastnosti GaN a heterostruktur na bázi GaN 

      Author: Hájek František; Supervisor: Oswald Jiří; Opponent: Hubík Pavel
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2016-06-30)
      Cílem této bakalářské práce je prispět k určení bodových defektů v polovodiči GaN a heterostrukturách InGaN/GaN, které by mělo pomoci k následnému snížení jejich koncentrace při další přípravě těchto materiálů. K tomu bylo ...