Prohlížení Disertační práce - 13000 dle předmětu "výkonový MOSFET,GaN HEMT,mriežkový vzor,integrovaný obvod,fyzický návrh analógových a zmiešaných obvodov"

Zobrazují se záznamy 1-1 z 1

    • Optimalizace výkonových MOSFET součástek vhodných pro integrované obvody 

      Autor: Vacula Patrik; Vedoucí práce: Husák Miroslav; Oponent práce: Musil Vladislav
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2019-03-12)
      Táto doktorská práca sa zaoberá návrhom laterálnych výkonových tranzistorov s nízkym špecifickým odporom pri zapnutom stave, vhodných pre integráciu do Integrovaných Obvodov.