• Vliv radiačních defektů na výkonové součástky na bázi SiC 

      Autor: Stanislav Popelka; Vedoucí práce: Hazdra Pavel; Oponent práce: Belas Eduard
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2021-03-22)
      Tato disertační práce se zabývá radiačními jevy v komerčně dostupných součástkách založených na bázi karbidu křemíku (SiC). SiC JBS diody a tranzistory JFET a MOSFET byly ozářeny elektrony, neutrony a lehkými ionty (protony). ...