• Nové modely vysokonapěťových křemíkových součástek pro radiové frekvence 

      Autor: Stanislav Banáš; Vedoucí práce: Dobeš Josef; Oponent práce: Biolek Dalibor
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2019-04-06)
      Tato dizertační práce je zaměřena na modelování vysokonapěťových součástek tvořených velmi nízko dotovanými vrstvami. Takovéto součástky se vyznačují vlastnostmi, které ve standardních kompaktních SPICE modelech nejsou ...
    • Vliv radiačních defektů na výkonové součástky na bázi SiC 

      Autor: Stanislav Popelka; Vedoucí práce: Hazdra Pavel; Oponent práce: Belas Eduard
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2021-03-22)
      Tato disertační práce se zabývá radiačními jevy v komerčně dostupných součástkách založených na bázi karbidu křemíku (SiC). SiC JBS diody a tranzistory JFET a MOSFET byly ozářeny elektrony, neutrony a lehkými ionty (protony). ...