Elektronový transport a vlastnosti kontaktů v heterostrukturách na bázi GaN

Abstract

Příprava ohmických kontaktů je stežejní pro měření elektrických vlastností galium nitridových polovodicových HEMT struktur. Cílem této práce bylo porozumění procesům, které se odehrávají na rozhraní kov-polovodič a následné navržení a optimalizace různých druhů ohmických kontaktů. Mezi sebou bylo porovnáváno pět druhů kovových kontaktů, které byly připravovány metodou napařování a pájení. Informace o kontaktech byly získávány na základe TLM metody.

The preparation of ohmic contacts is crucial for measuring the electrical properties of gallium nitride semiconductor HEMT structures. The aim of this work was to understand the processes that take place at the metal-semiconductor interface and the subsequent design and optimization of various types of ohmic contacts. Five types of metal contacts, which were prepared by steaming and soldering, were compared. Contact information was obtained based on the TLM method.