Defekty ve scintilátorových strukturách na bázi nitridů
Defects in nitride-based scintillation heterostructures
Typ dokumentu
disertační prácedoctoral thesis
Autor
František Hájek
Vedoucí práce
Oswald Jiří
Oponent práce
Grym Jan
Studijní obor
Fyzikální inženýrstvíStudijní program
Aplikace přírodních vědInstituce přidělující hodnost
katedra inženýrství pevných látekObhájeno
2023-06-01Práva
A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmlVysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html
Metadata
Zobrazit celý záznamAbstrakt
V této práci byl studován vliv nejčastějších defektů v InGaN/GaN scintilátorových heterostrukturách (CN, ZnGa, VGa a jejich komplexů) na jejich luminiscenční a scintilační vlastnosti. Byly vysvětleny rekombinační mechanismy, kterých se tyto defekty účastní, a navrženy postupy pro eliminaci vlivu těchto defektů na scintilační charakteristiky heterostruktur. Výsledkem práce je návrh optimalizované struktury vhodné pro scintilační využití ve vybraných aplikacích. An influence of the most common defects presented in the InGaN/GaN scintillation heterostructures (CN, ZnGa, VGa and their complexes) was studied in this work. Recombination mechanisms involving these defects were explained and ways to eliminate their influence on the scintillation characteristics were suggested. The work output is a proposal of optimized structure suitable for the scintillator application.
Kolekce
- Disertační práce - 14000 [238]