Vliv radiačních defektů na výkonové součástky na bázi SiC
Influence of Radiation Defects on SiC Power Devices
dc.contributor.advisor | Hazdra Pavel | |
dc.contributor.author | Stanislav Popelka | |
dc.date.accessioned | 2021-04-13T13:19:08Z | |
dc.date.available | 2021-04-13T13:19:08Z | |
dc.date.issued | 2021-03-22 | |
dc.identifier | KOS-500863475805 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10467/94160 | |
dc.description.abstract | Tato disertační práce se zabývá radiačními jevy v komerčně dostupných součástkách založených na bázi karbidu křemíku (SiC). SiC JBS diody a tranzistory JFET a MOSFET byly ozářeny elektrony, neutrony a lehkými ionty (protony). Vliv ozáření na studované struktury byl zkoumán z hlediska generování radiačních defektů (hluboké úrovně) a vlivu na voltampérové a dynamické charakteristiky. Na základě dosažených výsledků byly vytvořeny modely degradace a použity v TCAD simulacích pomocí metody konečných prvků v simulátoru Silvaco ATLAS. Pro potřeby charakterizace byly také vyvinuty nové testovací metody a aparatury, které byly zapotřebí pro plnou charakterizaci studovaných součástek. Hlavními výstupy této disertační práce jsou kalibrované degradační modely, které lze využít pro zlepšení nebo vývoj tzv. rad-hard SiC součástek se zvýšenou radiační odolností. Mimo to lze výsledky po ozařování protony využít pro lokální řízení doby života nosičů náboje v bipolárních SiC součástkách pro optimalizaci jejich parametrů. | cze |
dc.description.abstract | This dissertation thesis deals with the radiation effects in silicon carbide (SiC) commercially available power devices. SiC JBS diodes, JFET, and MOSFET have been irradiated by various particles (electrons, neutrons, and light ions). Their influence has been studied in terms of introduced radiation defects (deep levels) and effects on device I-V and dynamic characteristics. Based on achieved results, simulation models of device degradation have been developed and used in the device TCAD simulations using the finite element method by Silvaco ATLAS simulator. Additional measurement test setups and methods were developed and were necessary for the full characterization of investigated devices before and after irradiation. The main outputs of this dissertation thesis are developed calibrated degradation models which can be utilized for improving or developing rad-hard SiC power devices. On the top of it, the results concerning the effect of proton irradiation can be used for application of the local lifetime control technique for bipolar SiC power device parameters optimization. | eng |
dc.publisher | České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum. | cze |
dc.publisher | Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre. | eng |
dc.rights | A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html | eng |
dc.rights | Vysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html | cze |
dc.subject | karbid křemíku | cze |
dc.subject | dioda | cze |
dc.subject | JFET | cze |
dc.subject | MOSFET | cze |
dc.subject | elektrony | cze |
dc.subject | protony | cze |
dc.subject | neutrony | cze |
dc.subject | poruchy | cze |
dc.subject | radiační poruchy | cze |
dc.subject | degradace | cze |
dc.subject | TCAD | cze |
dc.subject | silicon carbide | eng |
dc.subject | diode | eng |
dc.subject | JFET | eng |
dc.subject | MOSFET | eng |
dc.subject | electrons | eng |
dc.subject | protons | eng |
dc.subject | neutrons | eng |
dc.subject | defects | eng |
dc.subject | radiation defects | eng |
dc.subject | degradation | eng |
dc.subject | TCAD | eng |
dc.title | Vliv radiačních defektů na výkonové součástky na bázi SiC | cze |
dc.title | Influence of Radiation Defects on SiC Power Devices | eng |
dc.type | disertační práce | cze |
dc.type | doctoral thesis | eng |
dc.contributor.referee | Belas Eduard | |
theses.degree.discipline | Elektronika (doktorský) | cze |
theses.degree.grantor | katedra mikroelektroniky | cze |
theses.degree.programme | Elektrotechnika a informatika | cze |
Soubory tohoto záznamu
Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích
-
Disertační práce - 13000 [713]