ČVUT DSpace
  • Prohledat DSpace
  • English
  • Přihlásit se
  • English
  • English
Nepojmenovaný 
  •   ČVUT DSpace
  • České vysoké učení technické v Praze
  • Publikační činnost ČVUT
  • Nepojmenovaný
  • České vysoké učení technické v Praze
  • Publikační činnost ČVUT
  • Nepojmenovaný
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Prohlížení Publikační činnost ČVUT dle autora "Vacula P."

  • 0-9
  • A
  • B
  • C
  • D
  • E
  • F
  • G
  • H
  • I
  • J
  • K
  • L
  • M
  • N
  • O
  • P
  • Q
  • R
  • S
  • T
  • U
  • V
  • W
  • X
  • Y
  • Z

Seřadit dle:

Řazení:

Výsledky:

Zobrazují se záznamy 1-4 z 4

  • název
  • datum publikování
  • datum zaslání
  • vzestupně
  • sestupně
  • 5
  • 10
  • 20
  • 40
  • 60
  • 80
  • 100
    • Automatic Placer for Analog Circuits Using Integer Linear Programming Warm Started by Graph Drawing 

      Autor: Grus J.; Hanzálek Z.; Barri D.; Vacula P.
      (Science and Technology Publications, Lda, 2023)
      Due to its diversity, the physical design of the Analog and Mixed-Signal Integrated Circuits is not as automated as the physical design of digital Integrated Circuits. The placement process is one of the critical steps of ...
    • Comparison of MOSFET Gate Waffle Patterns Based on Specific On-Resistance 

      Autor: Vacula P.; Kotě V.; Barri D.; Vacula M.; Husák M.; Jakovenko J.; Privitera S.
      (České vysoké učení technické v Praze, Fakulta elektrotechnická, 2019)
      This article describes waffle power MOSFET segmentation and defines its analytic models. Although waffle gate pattern is well-known architecture for effective channel scaling without requirements on process modification, ...
    • Improvements in the Electrical Performance of IC MOSFET Components Using Diamond Layout Style Versus Traditional Rectangular Layout Style Calculated by Conformal Mapping 

      Autor: Barri D.; Vacula P.; Kotě V.; Jakovenko J.; Voves J.
      (IEEE, 2019)
      In the first part of this article, we have proposed an innovative approach to improve the drain current model of the MOSFETs implemented with the diamond layout style (DLS), regarding the longitudinal corner effect (LCE). ...
    • Spatial Systematic Mismatch Assessment of Pre-arranged Layout Topologies 

      Autor: Vančura P.; Jakovenko J.; Kotě V.; Vacula P.; Kubačák A.
      (Elsevier, 2020)
      A spatial systematic mismatch, occurring in the integrated circuit manufacturing process, leads to differences in parameters for two or more identical devices. It is widely accepted that placing devices into symmetrical ...

      České vysoké učení technické v Praze copyright © 2016 

      DSpace software copyright © 2002-2016  Duraspace

      Kontaktujte nás | Vyjádření názoru
      Theme by 
      @mire NV
       

       

      Užitečné odkazy

      ČVUT v PrazeÚstřední knihovna ČVUTO digitální knihovně ČVUTInformační zdrojePodpora studiaPodpora publikování

      Procházet

      Vše v DSpaceKomunity a kolekceDle data publikováníAutořiNázvyKlíčová slovaTato kolekceDle data publikováníAutořiNázvyKlíčová slova

      Můj účet

      Přihlásit se

      České vysoké učení technické v Praze copyright © 2016 

      DSpace software copyright © 2002-2016  Duraspace

      Kontaktujte nás | Vyjádření názoru
      Theme by 
      @mire NV