Optimalizace výkonových MOSFET součástek vhodných pro integrované obvody
Optimization of power MOSFET devices suitable for integrated circuits
| dc.contributor.advisor | Husák Miroslav | |
| dc.contributor.author | Vacula Patrik | |
| dc.date.accessioned | 2019-03-24T19:24:36Z | |
| dc.date.available | 2019-03-24T19:24:36Z | |
| dc.date.issued | 2019-03-12 | |
| dc.identifier | KOS-360064699205 | |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10467/81482 | |
| dc.description.abstract | Táto doktorská práca sa zaoberá návrhom laterálnych výkonových tranzistorov s nízkym špecifickým odporom pri zapnutom stave, vhodných pre integráciu do Integrovaných Obvodov. | cze |
| dc.description.abstract | This doctoral thesis deals with the design of lateral power transistor with lower specific on-resistance for integration into IC.The new model of MOSFET with waffle gate pattern is there described. For first, time the conformal transformation the Schwarz-Christoffel mapping has been used for the description of nonhomogeneous current distribution in the channel area of MOSFET with waffle gate pattern. In addition base on the figure of merit definition Area Increment (AI) the topological theoretical limit of MOSFET with waffle gate pattern has been a first time defined. | eng |
| dc.language.iso | ENG | |
| dc.publisher | České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum. | cze |
| dc.publisher | Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre. | eng |
| dc.rights | A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html | eng |
| dc.rights | Vysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html | cze |
| dc.subject | výkonový MOSFET,GaN HEMT,mriežkový vzor,integrovaný obvod,fyzický návrh analógových a zmiešaných obvodov | cze |
| dc.subject | power MOSFET,GaN HEMT,waffle pattern,integrated circuit,physical design of analog and mixed-signal circuits | eng |
| dc.title | Optimalizace výkonových MOSFET součástek vhodných pro integrované obvody | cze |
| dc.title | Optimization of power MOSFET devices suitable for integrated circuits | eng |
| dc.type | disertační práce | cze |
| dc.type | doctoral thesis | eng |
| dc.date.accepted | ||
| dc.contributor.referee | Musil Vladislav | |
| theses.degree.discipline | Elektronika (doktorský) | cze |
| theses.degree.grantor | katedra mikroelektroniky | cze |
| theses.degree.programme | Elektrotechnika a informatika | cze |
Soubory tohoto záznamu
Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích
-
Disertační práce - 13000 [706]