Prohlížení Disertační práce - 13000 dle autora "Hazdra Pavel"
-
Analýza a syntéza anténních řad s ohledem na vzájemné vazby prvků, beamforming
Autor: Tomáš Lonský; Vedoucí práce: Hazdra Pavel; Oponent práce: Karban Pavel
(České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2019-09-11)ato práce se zabývá analýzou a syntézou (zejména liniových) anténních řad umístěných ve volném prostoru nebo nad nekonečnou zemní rovinou. K charakterizaci problému byla odvozena teorie a algoritmus implementován v programu ... -
Ovlivňování šíření elektromagnetických vln za použití umělých materiálů
Autor: Michal Červený; Vedoucí práce: Hazdra Pavel; Oponent práce: Šipuš Zvonimir
(České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2022-02-21)Tato práce se zabývá problematikou uměle vytvořených materiálů na bázi periodických struktur, konkrétně frekvenčně selektivními povrchy a metapovrchy. Hlavní důraz je kladen především na ovlivňování elektromagnetického ... -
Radiofrekvenční a mikrovlnné vlastnosti proteinových struktur
Autor: Krivosudský Ondrej; Vedoucí práce: Cifra Michal; Oponent práce: Hazdra Pavel
(České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2019-01-20)Elektromagnetická charakterizace biomolekulárních nanostruktur poskytuje hlubší porozumění interakcím elektromagnetických vln s polární a strukturně komplexní biologickou hmotou. Navíc otevírá nové možnosti pro zkoumání ... -
Vliv radiačních defektů na výkonové součástky na bázi SiC
Autor: Stanislav Popelka; Vedoucí práce: Hazdra Pavel; Oponent práce: Belas Eduard
(České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2021-03-22)Tato disertační práce se zabývá radiačními jevy v komerčně dostupných součástkách založených na bázi karbidu křemíku (SiC). SiC JBS diody a tranzistory JFET a MOSFET byly ozářeny elektrony, neutrony a lehkými ionty (protony). ...