Show simple item record

Electrical properties of doped diamond in high electric field



dc.contributor.advisorMortet Vincent
dc.contributor.authorNicolas Lambert
dc.date.accessioned2022-11-16T10:19:15Z
dc.date.available2022-11-16T10:19:15Z
dc.date.issued2022-11-02
dc.identifierKOS-1083893885505
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10467/105060
dc.description.abstractV této práci byl studován růst diamantových vrstev dopovaných borem a fosforem. Byla vyvinuta nová metoda zahrnující pulzní proudění plynu pro zvýšení inkorporace atomů fosforu do diamantu během procesu růstu. Pomocí této metody byly vypěstovány fosforem dopované polykrystalické diamantové vrstvy na (100) orientovaných Si substrátech s poměrem sp3/sp2 uhlíku nad 75% a s koncentrací fosforu až 7.1 × 1020 cm−3. Epitaxní diamantové vrstvy dopované bórem s koncentrací bóru až 6.3 × 1019 cm−3 byly rovněž vypěstovány na (100) orientovaných diamantových substrátech. Krystalická kvalita vrstev byla posouzena pomocí Ramanovy spektroskopie a jejich koncentrace dopantu byla stanovena optickou emisní spektroskopií a hmotnostní spektroskopií sekundárních iontů. Bylo studováno násobení proudu a záporný diferenciální odpor pozorovaný při vysokém elektrickém poli v borem dopovaných diamantových vrstvách. Kvazistatické proudově-napěťové charakteristiky byly měřeny pomocí nastavení impulsů na přenosové lince s dobou trvánícze
dc.description.abstractIn this thesis, the growth of boron-doped and phosphorus-doped diamond layers was studied. A novel technique involving intermittent gas flows was developed to increase the incorporation of phosphorus atoms in diamond during the growth. Using this method, polycrystalline phosphorus-doped diamond layers were grown on (100) oriented Si substrates with a sp3/sp2 carbon ration over 75% and a phosphorus concentration up to 7.1 × 1020 cm−3 were grown. Epitaxial boron-doped diamond layers with a boron concentration up to 6.3 × 1019 cm−3 were also grown on (100)eng
dc.publisherČeské vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.cze
dc.publisherCzech Technical University in Prague. Computing and Information Centre.eng
dc.rightsA university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmleng
dc.rightsVysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmlcze
dc.subjectdiamant dopovaný boremcze
dc.subjectdiamant dopovaný fosforemcze
dc.subjectmikrovlnné plazmatické chemické napařovánícze
dc.subjectpulzní průtok plynucze
dc.subjectgenerátor impulzů pro přenosovou linkucze
dc.subjectionizace vlivem nečistotcze
dc.subjectsamozahřívací efektcze
dc.subjectmetoda konečných prvkůcze
dc.subjectboron-doped diamondeng
dc.subjectphosphorus-doped diamondeng
dc.subjectmicrowave plasma enhanced chemical vapor depositioneng
dc.subjectpulsed gas floweng
dc.subjecttransmission-line pulse generatoreng
dc.subjectimpurity impact ionizationeng
dc.subjectself-heating effecteng
dc.subjectfinite element methodeng
dc.titleElektrické vlastnosti dopovaného diamantu ve vysokém elektrickém policze
dc.titleElectrical properties of doped diamond in high electric fieldeng
dc.typedisertační prácecze
dc.typedoctoral thesiseng
dc.contributor.refereeNebel Christoph
theses.degree.grantorkatedra fyzikycze
theses.degree.programmeApplied Physicscze


Files in this item


This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record