Prohlížení dle autora "Oswald Jiří"

Zobrazují se záznamy 1-5 z 5

    • Defekty ve scintilátorových strukturách na bázi nitridů 

      Autor: František Hájek; Vedoucí práce: Oswald Jiří; Oponent práce: Grym Jan
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2023-05-27)
      V této práci byl studován vliv nejčastějších defektů v InGaN/GaN scintilátorových heterostrukturách (CN, ZnGa, VGa a jejich komplexů) na jejich luminiscenční a scintilační vlastnosti. Byly vysvětleny rekombinační mechanismy, ...

    • Kvantové elektroluminiscenční struktury s dlouhovlnnou emisí (1,3 - 1,6 um) 

      Autor: Krčil Pavel; Vedoucí práce: Oswald Jiří
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum., 2014-09-10)

    • Luminiscenční vlastnosti GaN a heterostruktur na bázi GaN 

      Autor: Hájek František; Vedoucí práce: Oswald Jiří; Oponent práce: Hubík Pavel
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum.Czech Technical University in Prague. Computing and Information Centre., 2016-06-30)
      Cílem této bakalářské práce je prispět k určení bodových defektů v polovodiči GaN a heterostrukturách InGaN/GaN, které by mělo pomoci k následnému snížení jejich koncentrace při další přípravě těchto materiálů. K tomu bylo ...

    • Polovodičové struktury s kvantovými tečkami InAs/GaAs 

      Autor: Kubištová Jana; Vedoucí práce: Oswald Jiří
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum., 2013-06-18)

    • Polovodičové struktury s kvantovými tečkami pro optoelektroniku 

      Autor: Krčil Pavel; Vedoucí práce: Oswald Jiří
      (České vysoké učení technické v Praze. Vypočetní a informační centrum., 2011-10-14)