Studium tenkých vrstev SnO2 s vysokou tloušťkou a drsností povrchu s potenciálními aplikacemi v displejích, solárních článcích a senzorech plynů

Abstract

Tato práce je zaměřena na studium efektů průtoku kyslíku a teploty substrátu na výsledné Sn tenké vrstvy připravené pomocí reaktivního magnetronového naprašování buzeného pulzy velkého výkonu (HiPIMS). Výsledné tenké vrstvy jsou studovány pomocí rastrovacího elektronového mikroskopu (SEM), energiově disperzní spektroskopií (EDS), analýza pomocí rentgenové difrakce (XRD), Ramanova spektroskopie, měření odporu vrstvy a UV-VIS spektroskopie. Změny ve výbojovém plazmatu v důsledku změny různého průtoku kyslíku jsou studovány pomocí Sobolowského sondy. Výsledné tenké vrstvy připravené za vyšší teploty substrátu jsou porovnány s tenkými vrstvami připravenými na substrátu o pokojové teplotě po jejich žíhání. Je diskutováno několik možných použití takto připravených tenkých vrstev.

This thesis studies the effects of oxygen flow and substrate temperature on resulting Sn thin films deposited using reactive high power impulse magnetron sputtering (HiPIMS). The resulting films are studied using scanning electron microscope (SEM), energy dispersive spectroscopy (EDS), X-ray diffraction analysis (XRD), Raman spectroscopy, resistivity measurement, and UV-VIS spectroscopy. The changes in discharge plasma due to different oxygen flow is studied using Sobolewski probe. The resulting thin films prepared at higher substrate temperatures are compared to thin films prepared with substrate at room temperature after annealing. Several possible applications of prepared thin films are discussed.