Řízený násobič s tranzistory MOSFET

Abstract

Cílem práce je prostudovat možné výhody a nevýhody napěťového násobiče realizovaného pomocí tranzistorů MOSFET a porovnání našich poznatků s dobře známým násobičem diodovým. První část je věnována obecnému popisu a dává prostor pro diskuzi o možných řešeních násobiče. Jsou popsány jevy, které ovlivňují technické parametry. Součástí je také teoretický návrh obvodů a popis principu funkce. Druhá část práce bude zaměřena na realizaci násobiče včetně výpočtů, jejich implementaci a zpracovaní výsledků. Dále zde poskytneme porovnání našeho výrobku s běžným násobičem napětí. V závěru jsou zhodnoceny dosažené výsledky a naše úsilí. Součástí je prostor pro diskuzi o možném zlepšení resp.: dalším možném postupu v řešení problému a zdokonalení násobiče.

The aim of this thesis is to study the possible advantages and disadvantages of a voltage multiplier constructed using MOSFETs. The results will be compared with other well-known multipliers which use diodes. The first part is dedicated to a general description and provides a discussion about possible solutions. The physical phenomena that affects technical parameters is described. This part of the work also includes the theoretical design of the circuit and a description of the principal per which it functions. The second part of this thesis will focus on the realization of the multiplier, including calculations, their implementation and processing of the results. Furthermore, a comparison of features of our multiplier and the diode multiplier will also be present. Finally, we will evaluate the achieved results and our efforts. The conclusion will include a discussion of possible upgrades, next steps in solving the issue and maximal improvement of the voltage multiplier.