Prohlížení Archiv DOI dle autora "Mawby, P."

Zobrazují se záznamy 1-1 z 1

    • TCAD Simulation of the Bipolar Degradation in SiC MOSFET Power Devices 

      Autor: Lachichi, A.; Mawby, P.
      (České vysoké učení technické v Praze. České centrum IET, 2021)
      TCAD Simulation of the Bipolar Degradation in SiC MOSFET Power Devices A. Lachichi and P. Mawby, School of Engineering University of Warwick. Coventry, United Kingdom Abstract Reliability and performance ...