Modifikace povrchu křemíku grafenoxidem
Modifications of Silicon surfaces with graphene-oxide
Typ dokumentu
diplomová prácemaster thesis
Autor
Marie Skálová
Vedoucí práce
Kozempel Ján
Oponent práce
Smrček Stanislav
Studijní obor
Jaderná chemieStudijní program
Aplikace přírodních vědInstituce přidělující hodnost
katedra jaderné chemiePráva
A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmlVysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html
Metadata
Zobrazit celý záznamAbstrakt
Tato práce se zabývá úpravou povrchu křemíku za účelem jeho pasivace a zvýšení efektivní doby života minoritních nosičů náboje. V teoretivké části je popsán křemíkový wafer a jeho vlastnosti jakožto výchozího materiálu pro úpravy. Pozornost je věnovánataké grafenu a grafen oxidu, jež v dnešní době nachází čím dál větší uplatnění. Dále byl vypracován přehled chemických a fyzikálně chemických úprav povrchu křemíkus podrobějším zaměřením na pasivaci grafen oxidem. Nakonec je popsán základní princip použitých analytických metod. Experimentální část je věnována leptání povrchu křemíku za různých podmínek a následnému vytváření This thesis deals with surface modification of silicon for the purpose of its passivation and increase of effective minority carrier lifetime. The theoretical part describes silicon wafer and its properties as a starting material for treatments. Attention is also given to graphene and graphene oxide, which are increasingly used today. Furthermore, an overview of chemical and physicochemical methods of silicon surface modifications was prepared with a more detailed focus on the passivation by graphene oxide. Finally, the basic principle of used analytical methods is described. The experimental part is focused on the etching of silicon surface under various conditions and the subsequent formation of passivation layers of graphene oxide. Samples were analysed by FT-IR spectrometry and Raman spectroscopy, the surface of etched wafers was analysed by atomic force microscopy. Further, the effective minority carrier lifetime samples was measured.