Návrh LDO regulátoru s ultra nízkým klidovým proudem
Ultra Low Quiescent Current LDO Regulator Design
Typ dokumentu
diplomová prácemaster thesis
Autor
Buryánec Lukáš
Vedoucí práce
Jakovenko Jiří
Oponent práce
Petenyi Sandor
Studijní obor
ElektronikaStudijní program
Komunikace, multimédia a elektronikaInstituce přidělující hodnost
katedra mikroelektronikyPráva
A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.htmlVysokoškolská závěrečná práce je dílo chráněné autorským zákonem. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem http://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou http://knihovny.cvut.cz/vychova/vskp.html
Metadata
Zobrazit celý záznamAbstrakt
Tato práce se zabývá návrhem LDO regulátoru napětí s ultra nízkým klidovým proudem v technologii BCD8 společnosti STMicroelectronics. Jedná se o návrh kompletního čipu včetně band-gap napěťové reference umožňující 4-bitový trimming, teplotní ochrany, nadproudové ochrany, enable logiky a proudové reference. V první kapitole jsou uvedeny definice důležitých parametrů týkajících se regulace napětí a funkce MOS tranzistorů. Druhá kapitola se věnuje principům napěťových regulátorů. Teorie bang-gap referencí je popsána v kapitole 3. Následující kapitola 4 je plně věnována samotnému návrhu kompletního čipu včetně popisu jednotlivých bloků. Výsledky simulací jsou uvedeny v kapitole 5. This thesis deals with design of an ultra-low quiescent current LDO voltage regulator in BCD8 technology of STMicroelectronics company. Design of a complete chip is described, including a band-gap voltage reference with 4-bit trimming circuit, thermal protection, current limiting circuit, enable control and a reference current generator as well. The first chapter sums up definitions of voltage regulation parameters and important parameters of MOS transistors. The second chapter deals with principles of voltage regulators. Bang-gap voltage references theory and describing main types of band-gap references is done in chapter 3. Following chapter 4 is fully dedicated to the design of the complete chip with detailed description of each block. Simulation results are shown in chapter 5.
Kolekce
- Diplomové práce - 13134 [285]